此款碳化硅蕭特基位障二極體采用東芝第二代碳化硅的制程制造，相較第一代產(chǎn)品提升了70%的涌浪順向電流，且同時降低切換損失的“RON*Qc”指數(shù)約30%
東芝
半導(dǎo)體與儲存產(chǎn)品公司新推出第二代650V碳化硅(SiC)蕭特基位障二極體(SBDs)，該產(chǎn)品提升了公司現(xiàn)行產(chǎn)品的涌浪順向電流(IFSM)約70%。8個碳化硅蕭特基位障二極體的新產(chǎn)品線也即將出貨。
此款碳化硅蕭特基位障二極體采用東芝第二代碳化硅的制程制造，相較第一代產(chǎn)品提升了70%的涌浪順向電流，且同時降低切換損失的“RON*Qc”指數(shù)約30%，使其適合用于高效率的功率因素修正方案。
新產(chǎn)品有4A, 6A, 8A, 和10A四種額定電流，用非絕緣的「TO-220-2L」或絕緣的「TO-220F-2L」包裝。這些產(chǎn)品有助于改善4K大銀幕液晶電視、投影機和多功能印表機的電源供應(yīng)器效率，以及電信基地臺和PC伺服器的工業(yè)設(shè)備。
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