目前全球廠商積極布局轉(zhuǎn)移制程，但考慮每小時(shí)產(chǎn)出量(UPH)、良率及晶粒大小(<100µm)尚無(wú)法達(dá)到商品化的水平，廠家紛紛尋求晶粒大小約150µm的“類Micro LED”解決方案。

　　LEDinside研究副理?xiàng)罡粚毐硎荆琈icro LED制程目前面臨相當(dāng)多的技術(shù)挑戰(zhàn)，在四大關(guān)鍵技術(shù)中，轉(zhuǎn)移技術(shù)是最困難的關(guān)鍵制程，必須突破的瓶頸包括設(shè)備的精密度、轉(zhuǎn)移良率、轉(zhuǎn)移時(shí)間、制程技術(shù)、檢測(cè)方式、可重工性及加工成本。由于涉及的產(chǎn)業(yè)橫跨LED、半導(dǎo)體、面板上下游供應(yīng)鏈，舉凡芯片、機(jī)臺(tái)、材料、檢測(cè)設(shè)備等都與過(guò)去的規(guī)格相異，使得技術(shù)門坎提高，而異業(yè)間的溝通整合也拉長(zhǎng)研發(fā)時(shí)程。

　　LEDinside以工業(yè)制程六個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差評(píng)估Micro LED量產(chǎn)可行性，轉(zhuǎn)移制程良率須達(dá)到四個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差等級(jí)，才有機(jī)會(huì)商品化，但加工及維修成本仍然很高。若要做出成熟的商品化產(chǎn)品，并達(dá)成具有競(jìng)爭(zhēng)力的加工成本，其轉(zhuǎn)移良率至少要達(dá)到五個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差以上。

　　盡管巨量轉(zhuǎn)移仍待技術(shù)突破，LEDinside指出，目前全球已有多家廠商投入轉(zhuǎn)移技術(shù)的研發(fā)，如LuxVue、eLux、VueReal、X-Celeprint、法國(guó)研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti、Sony及沖電氣工業(yè)(OKI);臺(tái)灣則有镎創(chuàng)、工研院、Mikro Mesa及臺(tái)積電。但廠商在選擇轉(zhuǎn)移技術(shù)時(shí)會(huì)依不同應(yīng)用產(chǎn)品而定，并考慮設(shè)備投資、每小時(shí)產(chǎn)出量(UPH)及加工成本等因素，而各廠商的制程能力及良率控制，也是影響產(chǎn)品開發(fā)的關(guān)鍵。

　　以現(xiàn)有的發(fā)展?fàn)顩r看來(lái)，LEDinside認(rèn)為室內(nèi)顯示屏、智能手表和智能手環(huán)將會(huì)是首先應(yīng)用Micro LED的產(chǎn)品。由于轉(zhuǎn)移技術(shù)的難度甚高，各應(yīng)用產(chǎn)品所需求的像素多寡不同，投入的廠商多半先以既有的外延焊接設(shè)備(Wafer Bonding)來(lái)做研發(fā)，或選擇像素?cái)?shù)量較少的應(yīng)用產(chǎn)品為目標(biāo)，以縮短開發(fā)時(shí)間。也有廠商直接轉(zhuǎn)向研發(fā)薄膜轉(zhuǎn)移(Thin Film Transfer)技術(shù)，但因設(shè)備須另外設(shè)計(jì)及調(diào)整，必須投入更多資源與時(shí)間，可能產(chǎn)生更多制程問(wèn)題。