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中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的三條路徑

構(gòu)建中國存儲器的夢一步步在向前推進,繼今年4月武漢“新芯”宣布動工,公布了宏偉的規(guī)劃蘭圖。如今紫光入圍,成立長江存儲科技有限責任公司,并推選趙偉國當董事長,丁文武當副董事長,表明項目再次取得實質(zhì)性的進展。
  構(gòu)建中國存儲器的夢一步步在向前推進,繼今年4月武漢“新芯”宣布動工,公布了宏偉的規(guī)劃蘭圖。如今紫光入圍,成立長江存儲科技有限責任公司,并推選趙偉國當董事長,丁文武當副董事長,表明項目再次取得實質(zhì)性的進展。

  中國下決心做存儲器芯片,是個特別重大,而又十分艱難的決定。國內(nèi)外對于項目上馬的看法差異很大,就目前非常有限的資料來判斷,一定取得勝算的把握可能尚不好預測。

  中國存儲器業(yè)的發(fā)展剛剛啟步,目前存儲器有三個方面的力量正在聚集,一是政府主導的武漢新芯,它們與Spansion及中科院微電子所等合作,據(jù)說己經(jīng)有9層3DNAND樣品;二是紫光,它的策略是先通過兼并,達到一定高度之后再自行研發(fā);三是兩個地方政府,福建與合肥,它們試圖尋找技術伙伴,或者挖技術團隊后再前進。

  總體上產(chǎn)業(yè)發(fā)展的三條路徑,研發(fā),兼并及合資,合作都是十分有效,然而經(jīng)過一段時間的實踐,有一定進展,但是情況也有些變化。

  兼并

  紫光把希望寄于通過兼并,讓中國的存儲器業(yè)的起點抬高,再進行自主研發(fā)。這樣的思維聽起來是務實的,然而由于中國處在特定環(huán)境下,許多正常的兼并貿(mào)易都被美國CFIUS否決。綜合起來近時期紫光的實踐,欲聯(lián)手美光等,希望能得到技術支持的想法恐怕難以實現(xiàn)。更有傳聞欲學習臺灣地區(qū)的“華亞科”模式,由中方出資,美光技術主導,最終成為美光在全球布局的一部分。如果是這樣的結(jié)局恐怕有違于中國開初建設存儲器芯片事業(yè)的初衷。

  因此現(xiàn)階段的兼并之路恐難以為繼。

  合資與合作

  福建“晉華”開創(chuàng)出一條新路。原本依制鞋,服裝出口為主的僑鄉(xiāng),試圖產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型進入存儲器芯片制造領域,近期還得到大基金等的支持。

  晉華的模式很清晰,中方出資,技術上依賴聯(lián)電,最終經(jīng)營的盈利還分成給聯(lián)電,是個兩岸合作雙贏的模式。關鍵是它們選擇利基型DRAM作為突破口。

  那么什么是利基型DRAM?全球DRAM從應用可分成五類,分別是標準型(PC等應用),服務器,行動式,繪圖用及利基型(消費類consumer)。2015年的DRAM市場中五類產(chǎn)品的占比分別為26%,22%,38%,6%及6%,并預測2016年分別為19%,24%,42%,6%及8%。表示利基型DRAM的市場己擴大30%。

  由于利基型DRAM是客制化為主,屬于小眾市場(年總銷售額才約35億美元,而整個DRAM市場在350-400億美元),采用相對成熟的制程。開初國內(nèi)業(yè)界對于選擇聯(lián)電作為DRAM的技術合作伙伴有些質(zhì)疑,也是可以理解的。

  然而任何事應該看它作什么?用最后的結(jié)果來回答。剛開始就貼上“標簽”,未必一定正確。據(jù)目前的判斷聯(lián)電在選擇利基型DRAM作為中國存儲器業(yè)的突破口可能是步好棋。

  因為利基型DRAM主要用于液晶電視、數(shù)字機頂盒、播放機等消費型電子等相關產(chǎn)品中,多數(shù)是采用成熟制程。

  利基型DRAM需求相當穩(wěn)定,很多都是客制化晶片,不屬于大眾規(guī)格產(chǎn)品,不像標準型DRAM會因為價格下跌使得容量倍增,影響利基型DRAM漲價的主要因素是以供給端為主。

  目前全球最大的利基型DRAM供應商為海力士,南亞科和華邦則是陸續(xù)轉(zhuǎn)戰(zhàn)此領域,此外還有IC設計公司晶豪科、鈺創(chuàng)、力積,IC測試廠泰林等。

  晉華存儲器項目采用成熟制程的利基型DRAM。它避開先進工藝制程的激烈競爭,而依賴于終端應用產(chǎn)品,與中國具有全球最大的應用市場相匹配,所以未來的產(chǎn)品市場銷售相對可能易于控制。不足之處據(jù)傳是采用32納米制程啟步,以及技術上由聯(lián)電控制。

  因此從項目的達成率分析,晉華項目相對的成熟度較高,而且中方省心,省事,只要解決資金供應,以及未來產(chǎn)品的市場銷售問題。

  該項目未來最大的擔憂是中方如何盡快的由學生地位轉(zhuǎn)變成老師。

  自主研發(fā)

  這是一條最為艱難之路,因為仔細思考目前除了有錢,技術與人材都不具備,再加上全球存儲器壟斷,西方處處堵截我們,因此中國只有狠下一條心,丟掉一切幻想,加強自主研發(fā),為國家爭一口氣。

  但是科學技術來不得半點虛假,必須遵循規(guī)律,因此需要人材,投入及時間。目前第一階段的目標是2018年,100,000片產(chǎn)能,量產(chǎn)32層3D NAND閃存。

  擺在首位的肯定是技術上迅速的突破,新芯至少要過32層,多少納米制程尚不清楚。技術上能突破是新芯的立足之本。

  中國存儲器業(yè)發(fā)展可能分成三步:第一步是盡快的研發(fā)成功,早日量產(chǎn):第二步是提高制程技術,并迅速的降低成本;第三步在全球存儲器的下降周期時逆勢的擴充產(chǎn)能,縮小差距。

  看似簡單的步驟,執(zhí)行起來經(jīng)常會受到各種干擾,因此貴在堅持。從此點上趙董事長有長處,西北漢子的性格,能勇往直前,迅速作出決斷。然而中國半導體業(yè)尚處在非完全市場經(jīng)濟階段,有許多非市場化的因素一定會導入,讓企業(yè)左右為難,但是最終一定要作出抉擇。

  尤其是當企業(yè)出現(xiàn)虧損時,而且是連續(xù)數(shù)年之后,還要能說服自己,及股東能繼續(xù)的投資,需要鐵婉式的決斷。

  近期魏少軍博士講,存儲器項目最困難的是項目啟動的三年之后。那時生產(chǎn)線己經(jīng)開通,關鍵要產(chǎn)出有競爭力的市場產(chǎn)品。否則盡管產(chǎn)品生產(chǎn)很多,庫存也很大,會帶來很大的資金壓力,這是一定會發(fā)生的事。

  存儲器業(yè)的特征就是起伏大,價格下降快,不是處于全球的領先地位,面臨虧損的幾率是非常大。

  中國存儲器業(yè)要取得成功,必須踏踏實實的進行研發(fā),以及遇到虧損時要堅持,再堅持。但是這一切唯有通過研發(fā)的早日成功,才能扭轉(zhuǎn)被動的局面。

  所以趙董事長的角色并不好當,既要符合產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要,又要為投資的股民謀福利,有時是個互相矛盾的事。

  中國發(fā)展存儲器業(yè)是國策,是塊硬骨頭,目前己無退路,只有向前挺進?,F(xiàn)階段各種模式都可以嘗試一下,從目前的態(tài)勢肯定走自主研發(fā)道路的風險要更大些,因此要集中國內(nèi)的最頂級人材,也可學習臺積電的“夜鶯部隊“方式,爭取更多的時間去努力攻克它,但是相信只有通過自主研發(fā)的成果才是屬于自己的。

  另外合資發(fā)展的模式可能相對易行,兩岸合作實現(xiàn)雙贏是大勢所趨,它對于中國能早日產(chǎn)出存儲器芯片是有十分重要的意義。

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