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西部數(shù)據(jù)推出新款3D NAND iNAND?嵌入式閃存盤

借助西部數(shù)據(jù)的64層3D NAND技術(shù)和先進的UFS與e.MMC接口技術(shù),新型的智能iNAND? 8521和iNAND? 7550嵌入式閃存盤能夠提供卓越的數(shù)據(jù)性能和高容量存儲。

  2017年12月7日-北京,存儲技術(shù)和解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商西部數(shù)據(jù)公司 (NASDAQ: WDC) 日前宣布推出全新先進的iNAND?嵌入式閃存盤 (EFD) ,使智能手機用戶能夠充分發(fā)揮當前數(shù)據(jù)驅(qū)動型應(yīng)用的潛力,提升使用體驗。借助西部數(shù)據(jù)的64層3D NAND技術(shù)和先進的UFS與e.MMC接口技術(shù),新型的智能iNAND? 8521和iNAND? 7550嵌入式閃存盤能夠提供卓越的數(shù)據(jù)性能和高容量存儲。當該產(chǎn)品用于智能手機和輕薄型計算設(shè)備中時,他們可以為以數(shù)據(jù)為中心的大量應(yīng)用加速,包括增強現(xiàn)實(AR)、高分辨率視頻捕捉和豐富的社交媒體體驗,當然還有新興的終端人工智能 (AI) 和物聯(lián)網(wǎng) (IoT)體驗。

  < 西部數(shù)據(jù)公司 嵌入式及集成解決方案(EIS) 產(chǎn)品市場管理總監(jiān)-包繼紅女士>

  數(shù)據(jù)量、數(shù)據(jù)的產(chǎn)生速度、多樣化和其帶來的價值都持續(xù)呈指數(shù)級增長和演變,包括大數(shù)據(jù)、快速數(shù)據(jù)和個人數(shù)據(jù)各個方面。全球眾多消費者都將在智能手機上體驗到這些數(shù)據(jù)的整合。

  Counterpoint Research智能設(shè)備及生態(tài)系統(tǒng)研究總監(jiān)閆占孟先生表示:“我們預(yù)計到2018年末,全球每部智能手機的平均存儲容量將攀升到超過60GB,用以支持由設(shè)備上人工智能和增強現(xiàn)實所帶來的日益增多的豐富多媒體內(nèi)容和數(shù)據(jù)驅(qū)動體驗。這推動了我們向先進的3D NAND嵌入式閃存解決方案演進,從而進一步推動這些豐富的體驗?!?/p>

  西部數(shù)據(jù)公司嵌入式和集成解決方案副總裁Christopher Bergey表示:“除了360度視頻和多鏡頭攝像頭,移動應(yīng)用中人工智能的出現(xiàn)提供了更加沉浸式的體驗,將把智能手機以數(shù)據(jù)為中心的特點提升到新的水平。我們創(chuàng)新的新型iNAND解決方案推動數(shù)據(jù)在高度密集的移動應(yīng)用和體驗中繁榮。我們將西部數(shù)據(jù)業(yè)界領(lǐng)先的X3 3D NAND技術(shù)、與新款增強的獨特應(yīng)用感知型SmartSLC技術(shù)相結(jié)合,為客戶提供了我們智能的高性能iNAND設(shè)備。這些iNAND系列的全新解決方案使得我們能夠繼續(xù)從容應(yīng)對全球變化多端的移動市場中日益提高的移動數(shù)據(jù)需求?!?/p>

  iNAND 8521 嵌入式閃存盤-滿足旗艦移動設(shè)備在5G網(wǎng)絡(luò)中的性能需求

  iNAND 8521嵌入式閃存盤專為需要使用大量數(shù)據(jù)的用戶設(shè)計,采用UFS 2.1接口和西部數(shù)據(jù)新型第五代SmartSLC 技術(shù)。相比于公司面向旗艦智能手機的上一代iNAND移動解決方案iNAND 7232嵌入式閃存盤,這次的iNAND 8521提供了兩倍的順序?qū)懭胨俣?和高達10倍的隨機寫入速度2。通過快速并智能響應(yīng)用戶的應(yīng)用性能需求,它使用戶能夠快速玩轉(zhuǎn)虛擬現(xiàn)實游戲,并且快速下載高清電影。此外,當服務(wù)提供商向5G網(wǎng)絡(luò)演進時,iNAND 8521嵌入式閃存盤卓越的數(shù)據(jù)傳輸速度還將允許移動用戶利用更快的Wi-Fi和網(wǎng)絡(luò)增強功能。

  < 閃迪iNAND 8521 UFS嵌入式閃存盤>

  iNAND 7550嵌入式閃存盤-適用于靈敏的高容量主流智能手機

  iNAND 7550嵌入式閃存盤幫助移動設(shè)備制造商打造存儲空間充足且具有高性價比的智能手機和計算設(shè)備,以滿足消費者不斷增長的存儲需求,同時提供快速且具吸引力的應(yīng)用體驗。iNAND 7550嵌入式閃存盤基于e.MMC 5.1規(guī)范,是目前西部數(shù)據(jù)基于廣為使用的e.MMC接口的高性能iNAND嵌入式解決方案,可提供高達260 MB/秒的順序?qū)懭胄阅芤约?0K IOPS和15K IOPS的隨機讀/寫性能3,更有助于同時加快自身和應(yīng)用啟動的速度。

  < 閃迪iNAND 7550 嵌入式閃存盤>


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