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現(xiàn)在發(fā)布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK SO-8封裝，是目前最大導通電阻小于0.6mΩ的兩顆25V MOSFET之一。與同類器件相比，SiRA20DP的典型柵極電荷更低，只有61nC，F(xiàn)OM為0.035Ω*nC，低32%。其他25V N溝道MOSFET的導通電阻則要高11%甚至更多。
Vishay Siliconix SiA468DJ采用超小尺寸PowerPAK SC-70封裝，是具有業(yè)內最低的導通電阻和最高的連續(xù)漏極電流的2mm x 2mm塑料封裝的30V器件。
全新MOSFET利用優(yōu)化其晶粒結構抑制切換時產出之涌浪電壓及振鈴，有效降低電磁干擾(EMI)，此產品之創(chuàng)新研發(fā)已超越目前東芝現(xiàn)有產品。
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