三星半導體公司近日宣布，該公司已開發(fā)并驗證了世界上第一個40納米的DRAM芯片和模塊，1Gbit閃存的DDR2組件和相應的1GByte的DDR2 SO-DIMM。已通過英特爾平臺的驗證程序，用于與英特爾GM45高速移動芯片組。
過渡到40nm工藝技術的DRAM產業(yè)將進一步削減50納米芯片對電壓的要求。三星預計將提供約省電約30％的新進程。還聲稱，40nm DRAM芯片相比50納米芯片提高生產力約60％提高生產力，但好奇的是，如何實現這一測量。
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