根據(jù)中新網(wǎng)近日的報道稱，紫光成都存儲器制造基地目前已經(jīng)開工，這個基地未來將在投資240億美元建設新的閃存工廠，主要生產(chǎn)3D NAND閃存。而在此前紫光曾表示，其旗下DDR4芯片正在開發(fā)中，預計年底前完成并推向市場。
按照紫光的說法，目前他們還在研發(fā)128層堆棧的256Gb核心3D NAND閃存，而今年年底將會量產(chǎn)32層64Gb核心的3D NAND閃存，明年會量產(chǎn)64層堆棧128Gb核心容量的閃存。
換個角度來看，紫光加速閃存生產(chǎn)速度的行為其實是國產(chǎn)內(nèi)存市場加速的小小縮影。
2019年開始中國大陸地區(qū)將有三家存儲芯片廠竣工并投入量產(chǎn)內(nèi)存、閃存，其中進展最快的是長江存儲，其正在研發(fā)64層的3D NAND閃存，計劃在2018年年底前推出樣品。至于合肥長鑫、福建晉華基本將LPDDR4芯片量產(chǎn)時間定于2019年上半年。
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