6 月 22 日消息，三星電子今日否認(rèn)了韓國(guó)當(dāng)?shù)孛襟w《東亞日?qǐng)?bào)》有關(guān)延后 3nm 量產(chǎn)的報(bào)道?！稏|亞日?qǐng)?bào)》此前報(bào)道稱，由于良率遠(yuǎn)低于目標(biāo)，三星 3nm 量產(chǎn)將再延后。
三星一位發(fā)言人通過(guò)電話表示，三星目前仍按進(jìn)度于第二季度開(kāi)始量產(chǎn) 3nm 芯片。
據(jù)悉，昨天韓媒 BusinessKorea 消息稱，三星為趕超臺(tái)積電，加碼押注 3nm GAA 技術(shù)，并計(jì)劃在 2025 年量產(chǎn)以 GAA 工藝為基礎(chǔ)的 2nm 芯片。
消息稱，三星在 6 月初將 3nm GAA 工藝的晶圓用于試生產(chǎn)，成為全球第一家使用 GAA 技術(shù)的公司。三星希望通過(guò)技術(shù)上的飛躍，快速縮小與臺(tái)積電的差距。3nm 工藝將半導(dǎo)體的性能和電池效率分別提高了 15% 和 30%，同時(shí)與 5nm 工藝相比，芯片面積減少了 35%。
專家稱，如果三星在基于 GAA 的 3nm 工藝中保證了穩(wěn)定的產(chǎn)量，它就能成為代工市場(chǎng)的游戲規(guī)則改變者。臺(tái)積電預(yù)計(jì)將從 2nm 芯片開(kāi)始引入 GAA 工藝，并在 2026 年左右發(fā)布第一個(gè)產(chǎn)品。對(duì)于三星電子來(lái)說(shuō)，未來(lái)三年將是一個(gè)關(guān)鍵時(shí)期。
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